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元件参数资料
>
参数目录49552
> IPP04CN10NG MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
型号:
IPP04CN10NG
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPP04CN10NG PDF
产品目录绘图
MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
标准包装
500
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
100A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4.2 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
13800pF @ 50V
功率 - 最大
300W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
PG-TO220-3
包装
管件
产品目录页面
1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IPP04CN10NGIN
IPP04CN10NGXK
SP000311499
查看IPP04CN10NG代理商
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